等離子表面處理設(shè)備的電極板不對稱可以實現(xiàn)等離子刻蝕嗎？
文章導(dǎo)讀：實現(xiàn)材料和產(chǎn)品表面的等離子刻蝕，是等離子表面處理設(shè)備可實現(xiàn)的其中一項作用，可以通過對電極的結(jié)構(gòu)、面積、饋入方式調(diào)整，來滿足具體的刻蝕要求，在等離子表面處理設(shè)備的電極板不對稱的情況下，該如何實現(xiàn)等離子刻蝕？往下看。
實現(xiàn)材料和產(chǎn)品表面的等離子刻蝕，是等離子表面處理設(shè)備可實現(xiàn)的其中一項作用，可以通過對電極的結(jié)構(gòu)、面積、饋入方式調(diào)整，來滿足具體的刻蝕要求，在等離子表面處理設(shè)備的電極板不對稱的情況下，該如何實現(xiàn)等離子刻蝕？
等離子表面處理設(shè)備進行刻蝕處理，在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)較為多見，通入的氣體一般為特殊的工藝氣體，可產(chǎn)生具有腐蝕性的等離子體基團，從而與硅晶圓或其他相關(guān)產(chǎn)品未經(jīng)掩膜遮擋的表面進行反應(yīng)，將所需要的線路刻蝕出來，在這個過程中就需要注意控制離子能量的電極壓降的定標。下圖為等離子表面處理設(shè)備陰極和陽極電極板面積不對稱時的放電示意圖。
其電極的壓降和表面積之間的關(guān)系為VA/VB=（SB/SA）α，而指數(shù)α在假定的理想狀態(tài)的范圍基本為1.0至2.5之間，因此這一數(shù)值可以作為參考，但作為依據(jù)還是有所欠缺，而在圓形電容耦合高頻放電過程中，指數(shù)α也可視為在上述范圍之內(nèi)。下圖為等離子表面處理設(shè)備的圓柱形容性RF放電電極板電壓的示意圖。
用以工業(yè)應(yīng)用的圓柱形容性耦合射頻等離子表面處理設(shè)備，其反應(yīng)腔體往往采用的是圓柱形的石英玻璃，通過在玻璃外包裹一層銅質(zhì)電極，可以用來處理對均勻性要求不是很高的產(chǎn)品，比如小尺寸的晶圓。圓柱形容性耦合射頻等離子表面處理設(shè)備的放電狀態(tài)如下圖所示。
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【本文標簽】：低溫等離子表面處理機等離子表面處理設(shè)備電極板等離子刻蝕
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