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普樂(lè)斯等離子清洗設(shè)備行業(yè)觀察,3納米已漸行漸近

返回列表 來(lái)源:普樂(lè)斯 瀏覽: 發(fā)布日期:2020-01-16 09:23【
文章導(dǎo)讀:普樂(lè)斯等離子清洗設(shè)備行業(yè)觀察,大家都知道,制程越小,晶體管柵極越窄,功耗越低,而集成難度和研發(fā)成本也將加倍提升。3nm是一個(gè)將近物理ji限的節(jié)點(diǎn),這需要產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的努力。
普樂(lè)斯等離子清洗設(shè)備行業(yè)觀察,身為摩爾定律忠實(shí)的跟隨者與倡導(dǎo)者,臺(tái)積電、三星已經(jīng)挑起3nm的戰(zhàn)局。據(jù)了解,三星已經(jīng)完成了第1個(gè)3nm制程的開(kāi)發(fā),準(zhǔn)備2022年規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片,先前臺(tái)積電也準(zhǔn)備2022年量產(chǎn)3nm。如果沒(méi)有意外,3nm芯片將在后年來(lái)臨,對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提出新的挑戰(zhàn)。
普樂(lè)斯等離子清洗設(shè)備行業(yè)觀察,3納米已漸行漸近
有報(bào)道稱(chēng),三星已成功研發(fā)出第1個(gè)基于GAAFET的3nm制程,預(yù)估2022年進(jìn)入量產(chǎn)。與7nm工藝相比,3nm工藝可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。按照三星的研發(fā)路線(xiàn)圖,在6nmLPP之后,還有5nmLPE、4nmLPE兩個(gè)節(jié)點(diǎn),隨后進(jìn)入3nm節(jié)點(diǎn),分為GAE(GAAEarly)以及GAP(GAAPlus)兩代。去年5月,三星的3nmGAE設(shè)計(jì)套件0.1版本已經(jīng)就緒,以協(xié)助客戶(hù)盡快啟動(dòng)3nm設(shè)計(jì)。三星預(yù)估該技術(shù)將在下一代手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛、人工智能及物聯(lián)網(wǎng)等設(shè)備中應(yīng)用。
 
以2022年量產(chǎn)為目標(biāo)的臺(tái)積電,也在按計(jì)劃推進(jìn)3nm研發(fā)。臺(tái)積電ceoCCWei曾表示,臺(tái)積電在3nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利,已經(jīng)與早期客戶(hù)進(jìn)行接觸。臺(tái)積電投資6000億新臺(tái)幣的3nm寶山廠也于去年通過(guò)了用地申請(qǐng),預(yù)估2020年動(dòng)工,2022年量產(chǎn)。
普樂(lè)斯等離子清洗設(shè)備行業(yè)觀察,3納米已漸行漸近
臺(tái)積電在7nm節(jié)點(diǎn)取得了jue對(duì)優(yōu)勢(shì),在5nm也進(jìn)展順利,獲得了蘋(píng)果A14等訂單。但三星并沒(méi)有放松追逐的腳步,準(zhǔn)備到2030年前在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資1160億美元,以增強(qiáng)在非內(nèi)存芯片市場(chǎng)的實(shí)力。臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀此前對(duì)媒體表示,臺(tái)積電與三星的戰(zhàn)爭(zhēng)都還沒(méi)結(jié)束,臺(tái)積電僅僅 贏得了一兩場(chǎng)戰(zhàn)役,可整個(gè)戰(zhàn)爭(zhēng)都還沒(méi)贏,目前臺(tái)積電暫時(shí)占優(yōu)。

本文來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 作者:張心怡 
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