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臺(tái)積電新研究,讓1nm芯片成為可能,普樂(lè)斯等離子體清洗機(jī)觀察

返回列表 來(lái)源:普樂(lè)斯 瀏覽: 發(fā)布日期:2020-03-18 10:08【
文章導(dǎo)讀:普樂(lè)斯等離子體清洗機(jī)行業(yè)觀察,臺(tái)積電和交大強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,研發(fā)出全球厚度僅有0.7納米的超薄二維半導(dǎo)體材料絕緣體,有望借此進(jìn)一步研發(fā)出2納米乃至1納米的電晶體通道,論文這個(gè)月成功登上國(guó)際期刊自然期刊(nature)。
普樂(lè)斯等離子體清洗機(jī)行業(yè)觀察,臺(tái)積電和交大強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,研發(fā)出全球厚度僅有0.7納米的超薄二維半導(dǎo)體材料絕緣體,有望借此進(jìn)一步研發(fā)出2納米乃至1納米的電晶體通道,論文這個(gè)月成功登上國(guó)際期刊自然期刊(nature)。
 
國(guó)立交通大學(xué)電子物理系張文豪教授研究團(tuán)隊(duì)在科技部長(zhǎng)支持下,與臺(tái)積電合作,合作研究研發(fā)出全球zui薄、厚度僅0.7納米、大面積晶圓尺寸的二維半導(dǎo)體材料絕緣層,臺(tái)積電表示,關(guān)鍵所在是單晶氮化硼技術(shù)的重大突破,今后有望通過(guò)這項(xiàng)技術(shù),進(jìn)一步研發(fā)出2納米乃至1納米的電晶體通道。
臺(tái)積電新研究,讓1nm芯片成為可能,普樂(lè)斯等離子體清洗機(jī)觀察
現(xiàn)階段臺(tái)積電正在推動(dòng)3納米的量產(chǎn)計(jì)劃,指的就是電晶體通道尺寸,通道做的越小,電晶體尺寸就能越小,而在持續(xù)微縮的過(guò)程中,電子就會(huì)變得越來(lái)越難傳輸,導(dǎo)致電晶體無(wú)法有效工作,現(xiàn)階段二維半導(dǎo)體材料是如今科學(xué)界認(rèn)為zui有可能解決瓶頸的方案的一種。
 
二維半導(dǎo)體材料特性就是很薄,平面結(jié)構(gòu)僅有一兩個(gè)原子等級(jí)的厚度,但也因而傳輸中的電子容易受環(huán)境影響,因此要絕緣層來(lái)阻絕干擾,現(xiàn)階段半導(dǎo)體使用的絕緣層多半是氧化物,通常做到5納米以下就非常困難,無(wú)法小于1納米,團(tuán)隊(duì)研發(fā)出的單晶氮化硼生長(zhǎng)技術(shù),成功達(dá)成0.7納米厚度的絕緣層。
 
臺(tái)積電技術(shù)主任陳則安,為清大化學(xué)系博士,他表示,單晶指的是單一的晶體整齊排列,單晶對(duì)於將來(lái)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)比較有幫助,因?yàn)榧僭O(shè)絕緣層不是單晶結(jié)構(gòu),中間會(huì)出現(xiàn)很多缺陷,電阻經(jīng)過(guò)的時(shí)候可能被缺陷影響,導(dǎo)致效能變差,實(shí)驗(yàn)也已證實(shí)會(huì)有影響,將來(lái)還要更多研究。
 
臺(tái)積電處長(zhǎng)李連忠曾經(jīng)是中研院原分所研究員,他表示,臺(tái)積電研究團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)基礎(chǔ)研究后,尋找問(wèn)題和突破可能性,跟交大化學(xué)氣相沉積實(shí)驗(yàn)室合作,讓氮化硼單晶在銅上生長(zhǎng),作為保護(hù)二維半導(dǎo)體材料的通道,現(xiàn)階段無(wú)法說(shuō)明量產(chǎn)時(shí)間,也有很多關(guān)鍵技術(shù)要突破,比如金屬接觸和元件優(yōu)化,可是確實(shí)對(duì)於將來(lái)電晶體尺寸再變小將有幫助。
臺(tái)積電新研究,讓1nm芯片成為可能,普樂(lè)斯等離子體清洗機(jī)觀察
將氮化硼轉(zhuǎn)移至矽晶圓上,藍(lán)色可見部分為支撐膜。

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