臺積電再加大投入，研發(fā)3nm
文章導讀：臺積電在過去五年現(xiàn)已投資逾500億美元在工藝和產(chǎn)品研發(fā)，以臺積電規(guī)劃打造臺灣貝爾實驗室的規(guī)劃，預定今后幾年仍會投入到數(shù)百億美元在新科技和新材料的產(chǎn)品研發(fā)，繼續(xù)扮演臺灣半導體業(yè)領頭羊。鑒于摩爾定律逐漸到了物理ji限，3nm被認為是zui后的一代硅基半導體工藝，因為1nm節(jié)點會遭遇嚴重的干擾。
臺積電董事長劉德音昨（31）日主持臺灣半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（TSIA）年度論壇結語時表露，臺積電會擴大產(chǎn)品研發(fā)能量，將于竹科新建產(chǎn)品研發(fā)中心，打造成臺灣的貝爾實驗室，預計再擴增8,000名產(chǎn)品研發(fā)大軍，投入到今后二、三十年科技和材料產(chǎn)品研發(fā)及半導體產(chǎn)業(yè)的基礎研究。
臺積電在過去五年現(xiàn)已投資逾500億美元在工藝和產(chǎn)品研發(fā)，以臺積電規(guī)劃打造臺灣貝爾實驗室的規(guī)劃，預定今后幾年仍會投入到數(shù)百億美元在新科技和新材料的產(chǎn)品研發(fā)，繼續(xù)扮演臺灣半導體業(yè)領頭羊。臺積規(guī)劃新產(chǎn)品研發(fā)中心，基地位于新竹縣寶山鄉(xiāng)，面積約32.7公頃，目前全案已進入環(huán)評補件階段，根據(jù)臺積電之前的資料，整個3nm晶圓廠預計會在2020年正式開工建設，耗資超過4000億新臺幣，折合879億人民幣或者130億美元。。臺積電幕僚表述，之后臺積電3納米以下的產(chǎn)品研發(fā)都會在此產(chǎn)品研發(fā)中心進行。
鑒于摩爾定律逐漸到了物理ji限，3nm被認為是zui后的一代硅基半導體工藝，因為1nm節(jié)點會遭遇嚴重的干擾。為了解決這個問題，三星宣布在3nm節(jié)點使用GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，借助使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該工藝可以顯著增強晶體管性能，主要是取代FinFET晶體管工藝。
但臺積電方面表述，他們 的3nm工藝技術和產(chǎn)品研發(fā)十分順利，目前有初期的客戶已參與進來，和臺積電一同進行工藝定義，3nm工藝將會在今后更進一步地穩(wěn)固臺積電的行業(yè)內(nèi)的地位。目前，3nm工藝仍在初期產(chǎn)品研發(fā)階段，臺積電也并沒有提供任何的技術細節(jié)，及其性能、功耗指標，例如相比5nm工藝能提升多少，僅僅說3nm將是一個新一代的工藝節(jié)點，而不是5nm的改良版。
臺積電僅僅說，現(xiàn)已評定了3nm工藝全部可能的晶體管結構設計，并與客戶一同獲得了特別好的解決方法，詳細規(guī)范已經(jīng)在進一步開發(fā)中，公司有決心符合大客戶們的全部需要。
臺積電此前曾披露，規(guī)劃在2022年就量產(chǎn)3nm工藝。臺積電追求工藝自主，這幾年繼續(xù)擴大產(chǎn)品研發(fā)規(guī)模，經(jīng)費逐漸提升，光去年的產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)費就已占營收的8%，約達858.95億元之高，較前年的807.32億元增加，也超越臺灣半導體業(yè)界，今年占比估為8.6%，金額站上千億元，再寫新猷。
本文來源：經(jīng)濟日報
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